本文技術路線中已介紹了改良西門子工藝，此方法與硅烷CVD法相比，在原料純度提純方面難度較大，但通過絡合-精餾反應可以達到預期的提純效果，與硅烷氣體純度相當，同時，CVD反應器結構簡單，二次引入雜質較少。但該法的缺點是:三氯氫硅的CVD反應非常復雜，副反應較多，物料一次沉積效率低，整體能耗偏高，同時尾氣中C1元素的含量較多，對設備腐蝕性影響較大，三氯氫硅物料性質較為穩定，生產安全性可靠度高。
  從硅烷CVD法與改良西門子工藝路線及裝置的對比來看，由于兩種工藝的原料熱分解溫度不同，則制備的等直徑硅碳棒晶格排布一也存在差異，硅烷CVD法制備的等直徑硅碳棒晶粒較小，改良西門子工藝晶粒較大，但采用此兩種工藝制備出的區熔等直徑硅碳棒產品經過下游測試驗證都能符合區熔硅單晶片的使用要求。隨著我國電子信息化產業的快速發展，高阻區熔硅單晶片的需求量也會持續增長。雖然市場需求旺盛，但是由于區熔用等直徑硅碳棒的技術條件要求非常高，工程化難度非常大，目前國內尚屬空白因此非常值得開發和研究。http://www.zijk.cn/