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| 要確保硅碳棒質量的絕對穩定 |
采用硅烷CVD法制備棒狀多晶硅的核心裝置為CVD反應爐，由于硅烷性質活潑，可以在較低溫度下分解，需要在每根硅碳棒外部設置套筒來降低硅烷氣體的分解速率。系統運行時，先向反應器內通入氫氣，同時向硅碳棒油套內通入一定溫度的硅油在這個溫度下硅芯的本征電阻率會變小經過預熱后可使硅芯在降低的啟動電壓下達到擊穿變成導體，待硅芯擊穿后再緩慢加大硅芯電流并持續升溫。通過控制硅芯的電流和電壓，使硅芯表面溫度緩慢升高到設定的反應溫度，之后開始向反應器內通硅烷。當達到設定的反應溫度，由于熱油套內油溫度低于反應溫度，這樣油介質就起到冷卻油套及其周圍空間溫度的作用，而高溫區域僅維持在硅芯表面附近，使得硅烷分解產生的硅顆粒只沉積在硅碳棒上。反應器結構具體如圖2所示。
硅烷和氫氣混合氣體經過靜態混料器使氣體混合均勻，混合氣體再經預熱器進行預熱后進入反應器，硅烷氣體在高溫硅芯表面發生分解，硅顆粒就沉積在硅芯上，隨著沉積的進行，硅芯的尺寸逐漸增加，達到最大值后停止生長。硅烷CVD裝置結構復雜，對材料要求高，反應后粉塵收集難度大，若設計不合理或材料選取出現問題，則會導致硅碳棒質量嚴重波動。由于區熔用多晶硅主要用于半導體行業，對硅碳棒質量要求較高，所以要確保硅碳棒質量的絕對穩定。http://www.zijk.cn/ |
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